| TP65H150BG4JSG-TR | |
|---|---|
| Αριθμός εξαρτήματος | TP65H150BG4JSG-TR |
| Κατασκευαστής | Transphorm |
| Περιγραφή | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 |
| Διαθέσιμη ποσότητα | Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
| Μοντέλο ECAD | |
| Φύλλα δεδομένων | |
| TP65H150BG4JSG-TR Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Τεχνικές πληροφορίες για το TP65H150BG4JSG-TR | |||
|---|---|---|---|
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | TP65H150BG4JSG-TR | Κατηγορία | Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών |
| Κατασκευαστής | Transphorm | Περιγραφή | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 |
| Πακέτο / Θήκη | 8-PQFN (5x6) | Διαθέσιμη ποσότητα | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 500µA | Vgs (Max) | ±10V |
| Τεχνολογία | GaNFET (Gallium Nitride) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-PQFN (5x6) |
| Σειρά | SuperGaN® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 6V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 83W (Tc) | Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) | Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 400 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V | FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 650 V | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Στείλτε μας email: Info@Ariat-Tech.com ή RFQ TP65H150BG4JSG-TR Online.
| TP65H150BG4JSG-TR Απόθεμα | Τιμή TP65H150BG4JSG-TR | TP65H150BG4JSG-TR Electronics | |||
| Συστατικά TP65H150BG4JSG-TR | TP65H150BG4JSG-TR Απογραφή | TP65H150BG4JSG-TR Digikey | |||
| Προμηθευτής TP65H150BG4JSG-TR | Παραγγελία TP65H150BG4JSG-TR Online | Έρευνα TP65H150BG4JSG-TR | |||
| TP65H150BG4JSG-TR Εικόνα | TP65H150BG4JSG-TR Εικόνα | TP65H150BG4JSG-TR PDF | |||
| Φύλλο δεδομένων TP65H150BG4JSG-TR | Λήψη φύλλου δεδομένων TP65H150BG4JSG-TR | Κατασκευαστής Transphorm | |||
| Σχετικά μέρη για το TP65H150BG4JSG-TR | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Πάρτε ένα απόσπασμα | |
 |
TP65H070G4PS | GANFET N-CH 650V 29A TO220 | Transphorm | ||
 |
TP66P06SC | TP SOP-20 | TP | ||
|
TP65H300G4LSG-TR | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070G4LSGB-TR | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 | Transphorm | ||
|
TP65H050WSQA | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H150LSG | GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG-TR | 650 V 25 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H150G4LSG-TR | 650 V 13 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H480G4JSG-TR | GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H050G4WS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG-TR | GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 | Transphorm | ||
|
TP65H150G4LSG | GAN FET N-CH 650V PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H150G4PS | GAN FET N-CH 650V TO-220 | Transphorm | ||
 |
TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H050G4BS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H300G4LSG | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP6732Q | TOPRO QFP208 | TOPRO | ||
|
TP6732QTC | TOPRO QFP | TOPRO | ||
Νέα
Περισσότερο
Το Polarfire® SOC FPGA της Microchip έχει λάβει πιστοποίηση AEC -Q100, επιβεβαιώνοντας την αξιοπισ...
Το PSOCTM 4000T είναι το πρώτο προϊόν της Infineon που διαθέτει την τεχνολογία Capsense ™ και τη ...
Ένας εκτελεστικός προμηθευτής ανταλλακτικών αυτοκινήτων αποκάλυψε ότι η ανάπτυξ...
Η Infineon και η EATRON επεκτείνουν τη συνεργασία τους στο σύστημα διαχείρισης μπαταριών...
Στο Semiconductor ανακοίνωσε πρόσφατα την έναρξη του πρώτου αισθητήρα σε πραγματικό χρό...
Νέα Προϊόντα
Περισσότερο
Φωτοηλεκτρικό αισθητήρα σειράς PD30 Οι μινιατούρες φωτο...
Κιτ αξιολόγησης XC112 / XR112 για το παλλόμενο συνεκτικό ραντάρ A111Το κιτ αξιολόγησης XC11...
MINAS Servo Drives και Motors Η οικογένεια MINAS A6 της Panasonic εξασφαλί...
Πίνακας οδηγού UV οδηγήσεων Ο πίνακας οδηγού υπεριωδών ...
Βιομηχανική και εκτεταμένη δοκιμή DDR SDRAM Οι συσκευές DDR ...
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ΠΡΟΣΘΕΤΩ: Rm 2703 27Ρ Ho King Comm Center 2-16,
Φου Γιουέν Σεν Μόνγκ Κοκ Κονόλ, Χονγκ Κονγκ.
Σημείωση πνευματικών δικαιωμάτων © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Ολα τα δικαιώματα διατηρούνται.