| R6011ENXC7G | |
|---|---|
| Αριθμός εξαρτήματος | R6011ENXC7G |
| Κατασκευαστής | Rohm Semiconductor |
| Περιγραφή | 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 998 pcs new original in stock. Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
| Μοντέλο ECAD | |
| Φύλλα δεδομένων | |
| R6011ENXC7G Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Τεχνικές πληροφορίες για το R6011ENXC7G | |||
|---|---|---|---|
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | R6011ENXC7G | Κατηγορία | Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών |
| Κατασκευαστής | LAPIS Technology | Περιγραφή | 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW |
| Πακέτο / Θήκη | TO-220FM | Διαθέσιμη ποσότητα | 998 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220FM |
| Σειρά | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 53W (Tc) | Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 Full Pack |
| Πακέτο | Tube | Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600 V | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | R6011 |
Στείλτε μας email: Info@Ariat-Tech.com ή RFQ R6011ENXC7G Online.
| R6011ENXC7G Απόθεμα | Τιμή R6011ENXC7G | R6011ENXC7G Electronics | |||
| Συστατικά R6011ENXC7G | R6011ENXC7G Απογραφή | R6011ENXC7G Digikey | |||
| Προμηθευτής R6011ENXC7G | Παραγγελία R6011ENXC7G Online | Έρευνα R6011ENXC7G | |||
| R6011ENXC7G Εικόνα | R6011ENXC7G Εικόνα | R6011ENXC7G PDF | |||
| Φύλλο δεδομένων R6011ENXC7G | Λήψη φύλλου δεδομένων R6011ENXC7G | Κατασκευαστής LAPIS Technology | |||
| Σχετικά μέρη για το R6011ENXC7G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Πάρτε ένα απόσπασμα | |
 |
R6011END3TL1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 | Rohm Semiconductor | ||
 |
R6011KNX | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | Rohm Semiconductor | ||
 |
R6011END3DIATL | ROHM | |||
 |
R6012030XXYA | DIODE GP REV 2KV 300A DO205AB | Powerex Inc. | ||
 |
R6011ENJTL | MOSFET N-CH 600V 11A LPTS | Rohm Semiconductor | ||
|
R6011630XXYA | DIODE GP REV 1.6KV 300A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6011KNXA24C12 | ROHM | |||
|
R6012425XXYA | DIODE GP REV 2.4KV 250A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6011830XXYA | DIODE GP REV 1.8KV 300A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6011END3TL | ROHM | |||
|
R6011430XXYA | DIODE GP REV 1.4KV 300A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6012225XXYA | DIODE GP REV 2.2KV 250A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6012625XXYA | DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6011ENX | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | Rohm Semiconductor | ||
|
R6011KNXC7G | 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW | Rohm Semiconductor | ||
|
R6011KND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 | Rohm Semiconductor | ||
 |
R6011KNJTL | MOSFET N-CH 600V 11A LPTS | Rohm Semiconductor | ||
|
R6012025XXYA | DIODE GP REV 2KV 250A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6011625XXYA | DIODE GP REV 1.6KV 250A DO205AB | Powerex Inc. | ||
|
R6011825XXYA | DIODE GP REV 1.8KV 250A DO205AB | Powerex Inc. | ||
Νέα
Περισσότερο
Το Polarfire® SOC FPGA της Microchip έχει λάβει πιστοποίηση AEC -Q100, επιβεβαιώνοντας την αξιοπισ...
Το PSOCTM 4000T είναι το πρώτο προϊόν της Infineon που διαθέτει την τεχνολογία Capsense ™ και τη ...
Ένας εκτελεστικός προμηθευτής ανταλλακτικών αυτοκινήτων αποκάλυψε ότι η ανάπτυξ...
Η Infineon και η EATRON επεκτείνουν τη συνεργασία τους στο σύστημα διαχείρισης μπαταριών...
Στο Semiconductor ανακοίνωσε πρόσφατα την έναρξη του πρώτου αισθητήρα σε πραγματικό χρό...
Νέα Προϊόντα
Περισσότερο
Φωτοηλεκτρικό αισθητήρα σειράς PD30 Οι μινιατούρες φωτο...
Κιτ αξιολόγησης XC112 / XR112 για το παλλόμενο συνεκτικό ραντάρ A111Το κιτ αξιολόγησης XC11...
MINAS Servo Drives και Motors Η οικογένεια MINAS A6 της Panasonic εξασφαλί...
Πίνακας οδηγού UV οδηγήσεων Ο πίνακας οδηγού υπεριωδών ...
Βιομηχανική και εκτεταμένη δοκιμή DDR SDRAM Οι συσκευές DDR ...
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ΠΡΟΣΘΕΤΩ: Rm 2703 27Ρ Ho King Comm Center 2-16,
Φου Γιουέν Σεν Μόνγκ Κοκ Κονόλ, Χονγκ Κονγκ.
Σημείωση πνευματικών δικαιωμάτων © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Ολα τα δικαιώματα διατηρούνται.