| 71V25761S200BG | |
|---|---|
| Αριθμός εξαρτήματος | 71V25761S200BG |
| Κατασκευαστής | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Περιγραφή | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 2637 pcs new original in stock. Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
| Μοντέλο ECAD | |
| Φύλλα δεδομένων | 1.71V25761S200BG.pdf2.71V25761S200BG.pdf |
| 71V25761S200BG Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Τεχνικές πληροφορίες για το 71V25761S200BG | |||
|---|---|---|---|
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | 71V25761S200BG | Κατηγορία | Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) |
| Κατασκευαστής | IDT (Renesas Electronics Corporation) | Περιγραφή | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
| Πακέτο / Θήκη | 119-PBGA (14x22) | Διαθέσιμη ποσότητα | 2637 pcs |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page | - | Τάσης - Προμήθεια | 3.135V ~ 3.465V |
| Τεχνολογία | SRAM - Synchronous, SDR | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 119-PBGA (14x22) |
| Σειρά | - | Συσκευασία / υπόθεση | 119-BGA |
| Πακέτο | Bulk | Θερμοκρασία λειτουργίας | 0°C ~ 70°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount | Τύπος μνήμης | Volatile |
| Μέγεθος μνήμης | 4.5Mbit | Οργάνωση μνήμης | 128K x 36 |
| Διασύνδεση μνήμης | Parallel | Μορφή μνήμης | SRAM |
| Συχνότητα ρολογιού | 200 MHz | Αριθμός προϊόντος βάσης | 71V25761 |
| Χρόνος πρόσβασης | 3.1 ns | ||
| Κατεβάστε | 71V25761S200BG PDF - EN.pdf | ||
Αριθμός Μέρους Κατασκευαστή
71V25761S200BG
Περιγραφή
Υψηλής απόδοσης, υψηλής πυκνότητας 4.5Mbit συγχρονική SRAM με ταχύτητα πρόσβασης 3.1ns. Ιδανικό για εφαρμογές που απαιτούν γρήγορη αποθήκευση και ανάκτηση δεδομένων.
Συσκευασία Προϊόντος
Συσκευασία 119-PBGA (14x22) επιφανειακής τοποθέτησης
Υποστηρίζει ταχύτητες παράλληλης διεπαφής έως 200MHz
Λειτουργεί σε ευρύ εύρος τάσης από 3.135V έως 3.465V
Σχεδιασμένο για θερμοκρασίες λειτουργίας από 0°C έως 70°C
Γιατί να Επιλέξετε Αυτό το Προϊόν;
Εξαιρετική απόδοση με ταχύτητα πρόσβασης 3.1ns
Υψηλή πυκνότητα αποθήκευσης 4.5Mbit για απαιτητικές εφαρμογές
Πολύπλευρη παράλληλη διεπαφή που καλύπτει ένα ευρύ φάσμα απαιτήσεων συστήματος
Ανθεκτικός σχεδιασμός για αξιόπιστη λειτουργία σε ευρύ φάσμα θερμοκρασιών
Βασικά Χαρακτηριστικά
Αρχιτεκτονική συγχρονικής SRAM για αποδοτική πρόσβαση δεδομένων
Οργάνωση μνήμης 128K x 36 για ευέλικτο χαρτοφυλάκιο μνήμης
Υποστηρίζει γρήγορες μεταφορές δεδομένων έως 200MHz
Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας για ενεργειακά αποδοτική λειτουργία
Συμβατότητα Προϊόντος
Αυτή η SRAM είναι συμβατή με ένα ευρύ φάσμα ψηφιακών συστημάτων και μικροελεγκτών που απαιτούν υψηλής ταχύτητας, υψηλής πυκνότητας μνήμη.
Κύρια Πλεονεκτήματα
Εξαιρετική απόδοση και ευαισθησία
Υψηλή χωρητικότητα αποθήκευσης για πολύπλοκες εφαρμογές
Ευέλικτες επιλογές διεπαφής για απρόσκοπτη ενσωμάτωση συστήματος
Αξιόπιστη λειτουργία σε ευρύ φάσμα θερμοκρασιών
Κύκλος Ζωής Προϊόντος
Αυτό το προϊόν είναι αυτή τη στιγμή στη φάση Τελευταίας Αγοράς. Οι πελάτες καλούνται να επικοινωνήσουν με την ομάδα πωλήσεών μας για πληροφορίες σχετικά με τυχόν διαθέσιμα ισοδύναμα ή εναλλακτικά μοντέλα.
Κύριοι Τομείς Εφαρμογής
Ενσωματωμένα συστήματα
Βιομηχανική αυτοματοποίηση
Εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών
Συσκευές δικτύωσης
Στρατιωτικές και αεροδιαστημικές εφαρμογές
Δράση Τώρα
Αποκτήστε μια προσφορά για αυτή τη υψηλής απόδοσης SRAM στην ιστοσελίδα μας σήμερα. Περιορισμένη προσφορά - μην χάσετε την ευκαιρία να ενισχύσετε την απόδοση και τις δυνατότητες του συστήματός σας.
Στείλτε μας email: Info@Ariat-Tech.com ή RFQ 71V25761S200BG Online.
| 71V25761S200BG Απόθεμα | Τιμή 71V25761S200BG | 71V25761S200BG Electronics |
| Συστατικά 71V25761S200BG | 71V25761S200BG Απογραφή | 71V25761S200BG Digikey |
| Προμηθευτής 71V25761S200BG | Παραγγελία 71V25761S200BG Online | Έρευνα 71V25761S200BG |
| 71V25761S200BG Εικόνα | 71V25761S200BG Εικόνα | 71V25761S200BG PDF |
| Φύλλο δεδομένων 71V25761S200BG | Λήψη φύλλου δεδομένων 71V25761S200BG | Κατασκευαστής IDT (Renesas Electronics Corporation) |
