| N01S830BAT22IT | |
|---|---|
| Αριθμός εξαρτήματος | N01S830BAT22IT |
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Περιγραφή | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 2528 pcs new original in stock. Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
| Μοντέλο ECAD | |
| Φύλλα δεδομένων | 1.N01S830BAT22IT.pdf2.N01S830BAT22IT.pdf3.N01S830BAT22IT.pdf4.N01S830BAT22IT.pdf5.N01S830BAT22IT.pdf |
| N01S830BAT22IT Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Τεχνικές πληροφορίες για το N01S830BAT22IT | |||
|---|---|---|---|
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | N01S830BAT22IT | Κατηγορία | Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) |
| Κατασκευαστής | onsemi | Περιγραφή | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
| Πακέτο / Θήκη | 8-TSSOP | Διαθέσιμη ποσότητα | 2528 pcs |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page | - | Τάσης - Προμήθεια | 2.5V ~ 5.5V |
| Τεχνολογία | SRAM | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-TSSOP |
| Σειρά | - | Συσκευασία / υπόθεση | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) | Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 85°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount | Τύπος μνήμης | Volatile |
| Μέγεθος μνήμης | 1Mbit | Οργάνωση μνήμης | 128K x 8 |
| Διασύνδεση μνήμης | SPI | Μορφή μνήμης | SRAM |
| Συχνότητα ρολογιού | 20 MHz | Αριθμός προϊόντος βάσης | N01S830 |
| Κατεβάστε | N01S830BAT22IT PDF - EN.pdf | ||
Αριθμός Μέρους Κατασκευαστή
N01S830BAT22IT
Περιγραφή
Υψηλής απόδοσης, χαμηλής κατανάλωσης 1Mbit SRAM με SPI διεπαφή. Προσφέρει αξιόπιστη αποθήκευση δεδομένων και γρήγορους χρόνους πρόσβασης σε κομψό πακέτο επιφανειακής τοποθέτησης.
Συσκευασία Προϊόντος
Συσκευασία σε ταινία & τύλιγμα (TR) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm πλάτος) επιφανειακή τοποθέτηση
Γιατί να Επιλέξετε Αυτό το Προϊόν;
Αξιόπιστη αποθήκευση δεδομένων με γρήγορους χρόνους πρόσβασης. Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας για μεγαλύτερη διάρκεια ζωής μπαταρίας. Συμπαγές πακέτο επιφανειακής τοποθέτησης για σχεδιασμούς που περιορίζονται σε χώρο.
Βασικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα μνήμης 1Mbit SRAM, SPI διεπαφή για εύκολη ενσωμάτωση, Ευρύ φάσμα λειτουργικής τάσης από 2.5V έως 5.5V, Εκτεταμένο εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας από -40°C έως 85°C.
Συμβατότητα Προϊόντος
Κατάλληλο για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών που απαιτούν μνήμη χαμηλής κατανάλωσης υψηλής απόδοσης.
Κύρια Πλεονεκτήματα
Ρυθμισμένη αποθήκευση δεδομένων με γρήγορους χρόνους πρόσβασης. Ενεργειακά αποδοτικός σχεδιασμός για παρατεταμένη διάρκεια ζωής μπαταρίας. Συμπαγές πακέτο επιφανειακής τοποθέτησης για εξοικονόμηση χώρου στις εγκαταστάσεις.
Κύκλος Ζωής Προϊόντος
Αυτό το προϊόν είναι ενεργό και διαθέσιμο. Μπορεί να υπάρχουν ισοδύναμα ή εναλλακτικά μοντέλα. Συνιστάται οι πελάτες να επικοινωνήσουν με την ομάδα πωλήσεών μας μέσω της ιστοσελίδας για τις τελευταίες πληροφορίες και διαθεσιμότητα προϊόντων.
Κύριοι Τομείς Εφαρμογής
Ενσωματωμένα συστήματα, Βιομηχανική αυτοματοποίηση, Καταναλωτικά ηλεκτρονικά, Εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών.
Δράση Τώρα
Πάρτε μια προσφορά για αυτό το προϊόν στην ιστοσελίδα μας σήμερα. Περιορισμένη προσφορά - επικοινωνήστε μαζί μας τώρα για να εξασφαλίσετε τις καλύτερες τιμές και τη διαθεσιμότητα.
Στείλτε μας email: Info@Ariat-Tech.com ή RFQ N01S830BAT22IT Online.
| N01S830BAT22IT Απόθεμα | Τιμή N01S830BAT22IT | N01S830BAT22IT Electronics | |||
| Συστατικά N01S830BAT22IT | N01S830BAT22IT Απογραφή | N01S830BAT22IT Digikey | |||
| Προμηθευτής N01S830BAT22IT | Παραγγελία N01S830BAT22IT Online | Έρευνα N01S830BAT22IT | |||
| N01S830BAT22IT Εικόνα | N01S830BAT22IT Εικόνα | N01S830BAT22IT PDF | |||
| Φύλλο δεδομένων N01S830BAT22IT | Λήψη φύλλου δεδομένων N01S830BAT22IT | Κατασκευαστής | |||
| Σχετικά μέρη για το N01S830BAT22IT | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Πάρτε ένα απόσπασμα | |
 |
N01L83W2AT25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | AMI Semiconductor Inc. | ||
 |
N01L63W3AB25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | onsemi | ||
 |
N01N636E | THERMISTOR NTC | Vishay Dale | ||
 |
N01S818HAT22IT | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
|
N01S830HAT22IT | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
|
N01N695E | THERMISTOR NTC | Vishay Dale | ||
|
N01L63W2AB25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | onsemi | ||
 |
N01L83W2AN25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I | onsemi | ||
 |
N01L83W2AT25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | onsemi | ||
|
N01S818HAT22I | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
 |
N01S830BAT22I | IC SRAM 1MBIT 20MHZ 8TSSOP | N/A | ||
 |
N01L63W3AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | AMI Semiconductor Inc. | ||
|
N01L83W2AN5I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I | onsemi | ||
 |
N01L63W3AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | onsemi | ||
|
N01L63W3AT25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | onsemi | ||
|
N01L83W2AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | onsemi | ||
|
N01S830HAT22I | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
|
N01S830BAT22I | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
|
N01L63W2AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | onsemi | ||
|
N01L83W2AN25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I | onsemi | ||
Νέα
Περισσότερο
Το Polarfire® SOC FPGA της Microchip έχει λάβει πιστοποίηση AEC -Q100, επιβεβαιώνοντας την αξιοπισ...
Το PSOCTM 4000T είναι το πρώτο προϊόν της Infineon που διαθέτει την τεχνολογία Capsense ™ και τη ...
Ένας εκτελεστικός προμηθευτής ανταλλακτικών αυτοκινήτων αποκάλυψε ότι η ανάπτυξ...
Η Infineon και η EATRON επεκτείνουν τη συνεργασία τους στο σύστημα διαχείρισης μπαταριών...
Στο Semiconductor ανακοίνωσε πρόσφατα την έναρξη του πρώτου αισθητήρα σε πραγματικό χρό...
Νέα Προϊόντα
Περισσότερο
Φωτοηλεκτρικό αισθητήρα σειράς PD30 Οι μινιατούρες φωτο...
Κιτ αξιολόγησης XC112 / XR112 για το παλλόμενο συνεκτικό ραντάρ A111Το κιτ αξιολόγησης XC11...
MINAS Servo Drives και Motors Η οικογένεια MINAS A6 της Panasonic εξασφαλί...
Πίνακας οδηγού UV οδηγήσεων Ο πίνακας οδηγού υπεριωδών ...
Βιομηχανική και εκτεταμένη δοκιμή DDR SDRAM Οι συσκευές DDR ...
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ΠΡΟΣΘΕΤΩ: Rm 2703 27Ρ Ho King Comm Center 2-16,
Φου Γιουέν Σεν Μόνγκ Κοκ Κονόλ, Χονγκ Κονγκ.
Σημείωση πνευματικών δικαιωμάτων © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Ολα τα δικαιώματα διατηρούνται.